パワー半導体デバイス– tag –

IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、パワー半導体の分野で注目を集めているデバイスです。その特徴は、高耐圧、低損失、高速スイッチングという点にあります。 IGBTは、バイポーラトランジスタ（BJT）とMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）の構造を組み合わせたハイブリッドデバイスです。BJTの高い耐圧性とMOSFETの低損失・高速スイッチング性能を併せ持っており、パワーデバイスに求められるさまざまな性能を高いレベルで実現しています。